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100A 1700V ハーフブリッジ IGBT モジュール DGA100H170M2T 34mm

これらの絶縁ゲート バイポーラ トランジスタは、高度なトレンチおよびフィールドストップ技術設計を使用し、優れた VCEsat とスイッチング速度、低ゲート電荷を実現しました。 RoHS規格に準拠しています。
在庫状況:
数量:
  • DGA100H170M2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA100H170M2T-REV1.0.pdf

  • 1700V

  • 100A

50A 1200V ハーフブリッジモジュール

1 概要 これらの絶縁ゲート バイポーラ トランジスタは、高度なトレンチおよびフィールドストップ技術設計を使用し、優れた VCEsat とスイッチング速度、低ゲート電荷を実現します。 RoHS規格に準拠しています。 


2 特徴 

● FS トレンチテクノロジー、正の温度係数 

● 低飽和電圧: VCE(sat)、typ = 2.25V @ IC =100A、Tj = 25°C 

● 極めて強化されたアバランシェ能力 


3 アプリケーション

 溶接 

 UPS 

 3レベルインバータ 

 ACおよびDCサーボドライブアンプ


タイプ VCE IC VCEsat,Tj=25℃ チョップ パッケージ
DGA100H170M2T 1700V 100A(Tj=100℃) 2.25V (標準値) 175℃ 34MM


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