Anda di sini: Rumah » Produk » » Modul IGBT » Pim » 100A 1700V Jambatan Modul IGBT DGA100H170M2T 34mm

100A 1700V Jambatan Half Bridge IGBT Modul DGA100H170M2T 34mm

Kongsi ke:

100A 1700V Jambatan Half Bridge IGBT Modul DGA100H170M2T 34mm

Transistor bipolar gerbang terlindung ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan lapangan yang maju, dengan syarat kelajuan vCesat dan kelajuan yang sangat baik, caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.

Ketersediaan:

Kuantiti:



Bertanya Tambah ke bakul

Model:
DGA100H170M2T
Jenama:
WXDH
Pakej:
34mm
Lembaran data:
DGA100H170M2T-REV1.0.PDF
V:
1700v
Pada:
100a

Modul Jambatan Separuh 50A 1200V

1 Keterangan Transistor bipolar gerbang bertebat ini digunakan parit maju dan reka bentuk teknologi lapangan, dengan syarat kelajuan vCesat dan kelajuan beralih, caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.

2 ciri

● Teknologi parit FS, pekali suhu positif

● Voltan tepu rendah: VCE (SAT), typ = 2.25V @ ic = 100a dan TJ = 25 ° C

● Keupayaan Avalanche yang sangat dipertingkatkan

3 aplikasi

 Kimpalan

 UPS

 Inverter tiga-leve

 AC dan DC Servo Drive Amplifier

Jenis	Vce	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Pakej
DGA100H170M2T	1700v	100A (TJ = 100 ℃)	2.25v (typ)	175 ℃	34mm

Sebelumnya:

Seterusnya:

Modul IGBT

Daftar untuk surat berita kami
Bersedia untuk
mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda

Hantar

Produk kami
- MOSFET
- Diod
- IGBT
- Modul IGBT
- Sic
- Pengatur Voltan IC
Mengenai Letor
Lebih banyak pautan
Hubungi kami

E -mel:

sales@wxdh.com. CN

Talian darat:

+86-510-85307789
Rangkaian Sosial