100A 1700V Half Bridge IGBT modul DGA100H170M2T 34mm

50A 1200V Half Bridge modul

1 Leírás Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 

2 Jellemzők 

● FS árok technológiája, pozitív hőmérsékleti együttható 

● Alacsony telítettségi feszültség: VCE (SAT), TYP = 2,25 V @ IC = 100A és TJ = 25 ° C 

● Rendkívül továbbfejlesztett lavina képesség 

3 alkalmazás

 Hegesztés 

 UPS 

 Három szintű frekvenciaváltó 

 AC és DC Servo Drive erősítő

Beír	Vce	IC	VCesat, tJ = 25 ℃	Tjop	Csomag
DGA100H170M2T	1700V -os	100a (TJ = 100 ℃)	2,25 V (typ)	175 ℃	34 mm