kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » IGBT MODUL » PIM » 100A 1700V Félhíd IGBT modul DGA100H170M2T 34mm

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

100A 1700V Félhíd IGBT modul DGA100H170M2T 34mm

Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
Elérhetőség:
Mennyiség:

50A 1200V Félhíd modul

1 Leírás Ezek a szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok fejlett tranch és Fieldstop technológiát alkalmaztak, kiváló VCEsat-ot és kapcsolási sebességet, alacsony kaputöltést biztosítottak. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

● FS Trench Technology, pozitív hőmérsékleti együttható 

● Alacsony telítési feszültség: VCE (sat), típus = 2,25 V @ IC = 100 A és Tj = 25°C 

● Rendkívül továbbfejlesztett lavinaképesség 


3 Alkalmazások

 Hegesztés 

 UPS 

 Háromszintű inverter 

 AC és DC szervo meghajtó erősítő


Írja be VCE Ic VCEsat, Tj=25 ℃ Tjop Csomag
DGA100H170M2T 1700V 100 A (Tj = 100 ℃) 2,25 V (típus) 175℃ 34 mm


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket