Módulo IGBT de medio puente 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm

Módulo de medio puente 50A 1200V

1 Descripción Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 2,25 V @ IC = 100 A y Tj = 25 °C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 aplicaciones

 Soldadura 

 UPS 

 Inversor de tres niveles 

 Amplificador de servoaccionamiento de CA y CC

Tipo	VCE	ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paquete
DGA100H170M2T	1700V	100A (Tj=100℃)	2,25 V (típico)	175℃	34MM