Módulo IGBT de Half Bridge 100A 1700V DGA100H170M2T 34 mm

Módulo de medio puente de 50a 1200V

1 Descripción Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron un diseño de tecnología avanzada de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente velocidad de conmutación y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 

2 características 

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva 

● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 2.25V @ IC = 100A y TJ = 25 ° C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 aplicaciones

 Soldadura 

 UPS 

 Inverter de tres partidos 

 Amplificador de accionamiento de servo de CA y DC