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100a 1700V Half Bridge Igbt Módulo DGA100H170M2T 34mm

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100a 1700V Half Bridge Igbt Módulo DGA100H170M2T 34mm

Esses transistores bipolares de porta isolados usaram o design avançado da tecnologia e da tecnologia de campo avançado, proporcionou excelente VCESAT e velocidade de comutação, carga baixa do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.

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Modelo:
DGA100H170M2T
Marca:
Wxdh
Pacote:
34 mm
Ficha de dados:
DGA100H170M2T-REV1.0.PDF
V:
1700V
UM:
100a

Módulo de meia ponte de meia 1200V

1 Descrição Esses transistores bipolares de porta isolados usaram o design avançado da tecnologia e da tecnologia Fieldstop, proporcionou excelente VCESAT e velocidade de comutação, carga baixa do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.

2 recursos

● Tecnologia da trincheira FS, coeficiente de temperatura positiva

● Baixa tensão de saturação: VCE (SAT), TIP = 2,25V @ IC = 100A e TJ = 25 ° C

● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada

3 aplicações

 Soldagem

 UPS

Inversor de três levas

 O amplificador de acionamento de servo AC e CC

Tipo	VCE	Ic	Vcesat, tj = 25 ℃	TJOP	Pacote
DGA100H170M2T	1700V	100a (tj = 100 ℃)	2.25V (Typ)	175 ℃	34 mm

Módulo IGBT