Módulo IGBT meia ponte 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm

Módulo meia ponte 50A 1200V

1 Descrição Este transistor bipolar de porta isolada usou design avançado de tecnologia de trincheira e Fieldstop, forneceu excelente VCEsat e velocidade de comutação, baixa carga de porta. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

● Tecnologia FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Baixa tensão de saturação: VCE(sat), tipo = 2,25V @ IC =100A e Tj = 25°C 

● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada 

3 aplicações

 Soldagem 

 UPS 

 Inversor de três níveis 

 Amplificador de servo acionamento CA e CC

Tipo	VCE	Eu	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pacote
DGA100H170M2T	1700V	100A (Tj=100℃)	2,25 V (típico)	175°C	34MM