100A 1700V Half Bridge IGBT -modul DGA100H170M2T 34mm

50A 1200V Half Bridge Module

1 BESKRIVELSE Denne isolerte port Bipolar transistor brukte avansert grøft og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCESAT og byttehastighet, lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 

2 funksjoner 

● FS -grøfteteknologi, positiv temperaturkoeffisient 

● Lav metningsspenning: VCE (SAT), TYP = 2,25V @ ic = 100a og TJ = 25 ° C 

● Ekstremt forbedret snøskredfunksjon 

3 søknader

 Sveising 

 UPS 

 Tre-leve inverter 

 AC og DC Servo Drive -forsterker