100A 1700V Halbbrücken-IGBT-Modul DGA100H170M2T 34mm

50A 1200V Halbbrückenmodul

1 Beschreibung Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 2,25 V bei IC = 100 A und Tj = 25 °C 

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 

3 Anwendungen

 Schweißen 

 USV 

 Dreistufiger Wechselrichter 

 AC- und DC-Servoantriebsverstärker

Typ	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paket
DGA100H170M2T	1700V	100A (Tj=100℃)	2,25 V (typisch)	175℃	34MM