未命名 (1) (8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Sie sind hier: Heim » Produkte » IGBT -Modul » Pim » 100a 1700v Halbbrücke IGBT -Modul DGA100H170M2T 34 mm

Laden

Teilen an:
Facebook Sharing Button
Twitter Sharing -Schaltfläche
Leitungsfreigabe -Taste
Wechat Sharing -Taste
LinkedIn Sharing -Taste
Pinterest Sharing -Taste
WhatsApp Sharing -Taste
Sharethis Sharing Button

100a 1700V Halbbrücke IGBT -Modul DGA100H170M2T 34 mm

Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Design von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung lieferte. Das entspricht dem ROHS -Standard.
Verfügbarkeit:
Menge:
Erkundigen Zum Korb geben

50A 1200 V Halbbrückenmodul

1 Beschreibung Dieser bipolare Transistor des isolierten Gates verwendete fortschrittliches Designen von Graben- und FieldStop -Technologie, das eine hervorragende Vcesat- und Schaltgeschwindigkeit und eine niedrige Gate -Ladung darstellte. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● FS -Grabentechnologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE (SAT), Typ = 2,25 V @ IC = 100a und TJ = 25 ° C 

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen

 Schweißen 

 ups 

 Wechselrichter mit drei Lichten 

 AC- und DC -Servo -Antriebsverstärker


Typ VCE IC Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Paket
DGA100H170M2T 1700V 100a (tj = 100 ℃) 2,25 V (Typ) 175 ℃ 34 mm


herunterladen DGA100H170M2T-REV1.0.PDF

Vorherige: 
Nächste: 
IGBT -Modul
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Sie sich bereit für die Zukunft
    Machen
    Einreichen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology von Leadong.com