100A 1700V HALF BRIDGE IGBT -modul DGA100H170M2T 34mm

50A 1200V Half Bridge -modulen

1 Beskrivning Dessa isolerade grindbipolära transistor använde avancerad diket och fältstoppteknologidesign, gav utmärkt vcesat och omkopplingshastighet, låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 

2 funktioner 

● FS Trench -teknik, positiv temperaturkoefficient 

● Låg mättnadsspänning: VCE (SAT), typ = 2,25V @ IC = 100A och TJ = 25 ° C 

● Extremt förbättrad lavinförmåga 

3 applikationer

 Svetsning 

 UPS 

 Three-Leve inverterare 

 AC och DC Servo Drive -förstärkare