brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » IGBT modul » Pim » 100a 1700V Polovičný most IGBT Modul DGA100H170M2T 34 mm

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

100A 1700V Half Bridge IGBT Modul DGA100H170M2T 34 mm

Tento izolovaný bipolárny tranzistor brány použil pokročilý dizajn technológie výkopu a technológie FieldStop, poskytol vynikajúcu rýchlosť Vcessat a rýchlosť prepínania, nízky náboj brány. Čo je v súlade so štandardom ROHS.
Dostupnosť:
množstvo:

50A 1200 V polovičný most Modul

1 Opis Tento izolovaný bipolárny tranzistor použil pokročilý dizajn technológie priekopy a terénu FieldStop, ktorý poskytol vynikajúcu rýchlosť Vcessat a rýchlosť prepínania, nízky náboj brány. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Technológia výkopu FS, pozitívny koeficient teploty 

● Nízke nasýtenie napätie: VCE (SAT), TYP = 2,25V @ IC = 100A a TJ = 25 ° C 

● Mimoriadne vylepšená lavínová schopnosť 


3 aplikácie

 Zváranie 

 UPS 

 Menič s tromi nohami 

 Zosilňovač diskov AC a DC Servo


Typ Vce IC Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Balík
DGA100H170M2T 1700 V 100a (TJ = 100 ℃) 2,25 V (typ) 175 ℃ 34 mm


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty