100A 1700V Polovičný mostík IGBT modul DGA100H170M2T 34mm

50A 1200V Modul polovičného mostíka

1 Popis Tieto bipolárne tranzistory s izolovanou bránou využívali pokročilý dizajn výkopu a technológie Fieldstop, poskytovali vynikajúcu rýchlosť VCEsat a spínania, nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● FS Trench Technology, Kladný teplotný koeficient 

● Nízke saturačné napätie: VCE (sat), typ = 2,25 V @ IC = 100 A a Tj = 25 °C 

● Extrémne zvýšená lavínová schopnosť 

3 Aplikácie

 Zváranie 

 UPS 

 Trojúrovňový invertor 

 AC a DC servozosilňovač

Typ	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Balíček
DGA100H170M2T	1700 V	100A (Tj=100℃)	2,25 V (typ)	175 ℃	34 mm