Modul IGBT Setengah Jembatan 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm

Modul setengah jembatan 50A 1200V

1 Deskripsi Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan Fieldstop yang canggih, memberikan VCEsat dan kecepatan peralihan yang sangat baik, biaya gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS. 

2 Fitur 

● Teknologi Parit FS, Koefisien suhu positif 

● Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 2,25V @ IC =100A dan Tj = 25°C 

● Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan 

3 Aplikasi

 Pengelasan 

 UPS 

 Inverter Tiga Tingkat 

 Penguat penggerak servo AC dan DC

Jenis	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Kemasan
DGA100H170M2T	1700V	100A (Tj=100℃)	2.25V (Jenis)	175℃	34 MM