未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » Modul IGBT » Pim » 100a 1700v setengah jembatan igbt modul DGA100H170M2T 34mm

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

100a 1700V setengah jembatan modul IGBT DGA100H170M2T 34mm

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

Modul setengah jembatan setengah 1200v

1 Deskripsi Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Teknologi parit FS, koefisien suhu positif 

● Tegangan saturasi rendah: VCE (SAT), typ = 2.25v @ ic = 100a dan tj = 25 ° C 

● Kemampuan longsoran yang sangat ditingkatkan 


3 aplikasi

 Pengelasan 

 UPS 

 Inverter tiga leve 

 Amplifier Drive Servo AC dan DC


Jenis Vce Ic Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Kemasan
DGA100H170M2T 1700v 100a (tj = 100 ℃) 2.25v (Typ) 175 ℃ 34mm


unduh DGA100H170M2T-REV1.0.pdf

Sebelumnya: 
Berikutnya: 
Modul IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Newsletter kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com