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Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS

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Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 1 200 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche, un fonctionnement parallèle facile

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Modèle:
DGC75F120M2
Marque:
WXDH
Emballer:
TO-247PLUS
Fiche de données:
DGC75F120M2__fiche technique-V1.2.pdf
V :
1200V
UN:
75A

Description du produit

Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop de 75A 1200V

1 Caractéristiques

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 1 200 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche et un fonctionnement parallèle facile.

2 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 2,1 V @ IC =75A et Tj = 25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

● Soudage

● UPS

● Onduleur à trois niveaux

Vces	Emballer	IC(Tj=100℃)
1200V	TO-247PLUS	75A

IGBT