puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » IGBT » 600V-650V » Transistor bipolar de puerta aislada 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS

cargando

Compartir con:
botón para compartir facebook
botón para compartir en twitter
botón para compartir línea
botón para compartir wechat
botón para compartir en linkedin
botón para compartir en pinterest
boton compartir whatsapp
comparte este botón para compartir

Transistor bipolar DGC75F120M2 TO-247PLUS de puerta aislada Trenchstop de 75A 1200V

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 1200 V ofrece rendimiento superior y de conmutación, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo
Disponibilidad:
Cantidad:

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 75A 1200V


1 Características 

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 1200 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo. 


2 características

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ = 2,1 V @ IC = 75 A y Tj = 25 °C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 


3 aplicaciones 

● Soldadura 

● SAI 

● Inversor de tres niveles

Vces Paquete Ic(Tj=100℃)
1200V TO-247PLUS 75A 


Anterior: 
Próximo: 
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada