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75A 1200V Trenchstop Isoliertes Gate Bipolar Transistor DGC75F120M2 bis-247Plus

Die 1200 -V -FS -IGBT -Technologie von Donghai bietet überlegene und wechselnde Leistungen und Schaltvorstellungen, hohe Lawinen -Robus -Easy -Parallelbetriebsverfügbarkeit: Menge: Menge: Menge: Menge:
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Bipolarer Transistor von 5A 1200V Trenchstop Isoliertes Tor


1 Merkmale 

Der 1200 -V -FS -IGBT bietet mithilfe des proprietären Grabendesigns und der Fortschritt -FS -Technologie von Donghai überlegene und wechselnde Leistungen, hohe Lawinen -Robustheit Easy Parallel Operation. 


2 Merkmale

● FS -Grabentechnologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE (SAT), Typ = 2,1 V @ IC = 75A und TJ = 25 ° C 

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen 

● Schweißen 

● ups 

● Wechselrichter mit drei Ebenen

Vces Paket IC (tj = 100 ℃)
1200V To-247plus 75a 


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