gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » IGBT » 600V-650V » 75A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolär Transistor DGC75F120M2 TO-247PLUS

belastning

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

75A 1200V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor DGC75F120M2 TO-247PLUS

Med hjälp av DongHais egenutvecklade Trench-design och avancerade FS-teknik, erbjuder 1200V FS IGBT överlägsna växlingsprestanda, hög lavinstabilitet och enkel parallelldrift
Tillgänglighet:
Kvantitet:

75A 1200V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor


1 Funktioner 

Med hjälp av DongHais egenutvecklade Trench-design och avancerad FS-teknik, erbjuder 1200V FS IGBT överlägsna växlingsprestanda, hög lavinstabilitet enkel parallelldrift 


2 funktioner

● FS Trench Technology, positiv temperaturkoefficient 

● Låg mättnadsspänning: VCE(sat), typ = 2,1V @ IC =75A och Tj = 25°C 

● Extremt förbättrad lavinkapacitet 


3 Applikationer 

● Svetsning 

● UPS 

● Tre-nivå växelriktare

Vces Paket Ic(Tj=100℃)
1200V TO-247PLUS 75A 


Tidigare: 
Nästa: 
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg