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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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75A 1200V Transistor bipolare a trench a trench di trench bipolare dgc75f120m2 to-247Plus

Utilizzando la progettazione della trincea proprietaria di Donghai e la tecnologia FS anticipata, la FS IGBT 1200v offre prestazioni superiori e di commutazione, ad alta valanga e facile
disponibilità di funzionamento parallelo:
quantità:

Transistor bipolare isolato a trench da 1200 V 1200V


1 caratteristiche 

Utilizzando la progettazione della trincea proprietaria di Donghai e la tecnologia FS anticipata, la FS IGBT 1200v offre prestazioni superiori e di commutazione, ad alta funzionalità di robustezza delle valanghe. 


2 caratteristiche

● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo 

● Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 2.1V @ IC = 75A e TJ = 25 ° C 

● Capacità di valanga estremamente migliorata 


3 applicazioni 

● Saldatura 

● UPS 

● Inverter a tre livelli

VCE Pacchetto IC (TJ = 100 ℃)
1200v To-247Plus 75a 


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