75A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC75F120M2 TO-247PLUS

75A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

အင်္ဂါရပ်များ ၁ 

DongHai ၏ မူပိုင် Trench ဒီဇိုင်းနှင့် အဆင့်မြင့် FS နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ 1200V FS IGBT သည် သာလွန်ကောင်းမွန်ပြီး ကူးပြောင်းသည့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး မြင့်မားသော နှင်းတောင်များ ကြမ်းကြမ်းတမ်းတမ်း အပြိုင်လုပ်ဆောင်ရလွယ်ကူသည်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း 

● ပြည့်ဝသောဗို့အား- VCE(sat), typ = 2.1V @ IC = 75A နှင့် Tj = 25°C 

● နှင်းပြိုကျမှုစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။ 

3 လျှောက်လွှာများ 

● ဂဟေဆော်ခြင်း။ 

● UPS 

● သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ

Vces	အထုပ်	Ic(Tj=100℃)
1200V	TO-247 Plus	75A