grille
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vous êtes ici : Maison » Produits » SIC » 650V-3300V SICMOS » MOSFET de puissance SIC canal N 120A 1200V DCC016M120G2

chargement

Partager avec :
bouton de partage Facebook
bouton de partage Twitter
bouton de partage de ligne
bouton de partage WeChat
bouton de partage LinkedIn
bouton de partage Pinterest
bouton de partage WhatsApp
partager ce bouton de partage

MOSFET de puissance SIC canal N 120A 1200V DCC016M120G2

Cette famille de produits offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis.
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance SIC canal N 120 A 1 200 V


1 Descriptif 

Cette famille de produits offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 


2 Caractéristiques 

● Efficacité du système supérieure

● Besoins de refroidissement réduits

● Densité de puissance accrue 

● Augmentation de la fréquence de commutation du système 


3 candidatures 

● Alimentations. 

● Convertisseurs DC/DC haute tension. 

● Entraînements de moteur. 

● Alimentations à découpage 

● Applications de puissance pulsée


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
1200V 16 mΩ 120A


Précédent: 
Suivant: 
  • Inscrivez-vous à notre newsletter
  • préparez-vous pour l'avenir,
    inscrivez-vous à notre newsletter pour recevoir des mises à jour directement dans votre boîte de réception