kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » SIC » 650V-3300V SIC MOS » 120A 1200V N-csatornás SIC Power MOSFET DCC016M120G2

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
megbízható kapcsolás elengedhetetlen ezekben a rendszerekben az energiakibocsátás maximalizálása és a stabil működés fenntartása érdekében. A szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok (IGBT) kulcsfontosságú szerepet játszanak ebben az összefüggésben, mivel nagy teljesítményű kapcsolóként szolgálnak, amelyek lehetővé teszik a hatékony energiaátalakítást, csökkentik a veszteségeket és növelik a megújuló energiát használó berendez�újk általános megbízhatóságát. Integrálással
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

120A 1200V N-csatornás SIC Power MOSFET DCC016M120G2

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és n4gy megbízhatóságra van szükség.
Elérhetőség:
Mennyiség:

120A 1200V N-csatornás SIC Power MOSFET


1 Leírás 

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség. 


2 Jellemzők 

● Magasabb rendszerhatékonyság

● Csökkentett hűtési igény

● Megnövelt teljesítménysűrűség 

● Megnövelt rendszerváltási frekvencia 


3 Alkalmazások 

● Tápegységek. 

● Nagyfeszültségű DC/DC átalakítók. 

● Motor hajtások. 

● Kapcsolóüzemű tápegységek 

● Impulzusteljesítményű alkalmazások


VDSS RDS(be)(TYP) ID
1200V 16 mΩ 120A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket