120 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC016M120G2

120 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 

2 Funktionen 

● Höhere Systemeffizienz

● Reduzierter Kühlbedarf

● Erhöhte Leistungsdichte 

● Erhöhte Systemschalthäufigkeit 

3 Anwendungen 

● Netzteile. 

● Hochspannungs-DC/DC-Wandler. 

● Motorantriebe. 

● Schaltnetzteile 

● Anwendungen mit gepulster Leistung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
1200V	16mΩ	120A