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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 240A 85V DHS020N88U, paquet TOLL

Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit à la fois un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 285 A 85 V


1 Descriptif 


Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit à la fois un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Faible résistance

● Faible charge de porte

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS


3 candidatures

● Applications de commutation de puissance 

● Gestion de l'énergie pour les systèmes onduleurs 

● Gestion de la batterie

VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
85V 1,4 mΩ 285A


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