MOSFET de puissance SiC canal N 40 mΩ 650 V DCCF040M65G2 TO-247-4L

MOSFET de puissance SiC canal N 40 mΩ 650 V

1 Descriptif 

Cette famille de produits offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 

2 Caractéristiques

● Efficacité du système supérieure

● Besoins de refroidissement réduits 

● Densité de puissance accrue 

● Augmentation de la fréquence de commutation du système

3 candidatures 

● Recharge de VE 

● Alimentations du serveur 

● Onduleurs solaires photovoltaïques 

● UPS 

● Convertisseurs DC/DC

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
650V	40 mΩ	52A