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40 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind.
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40 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Funktionen

● Höhere Systemeffizienz

● Reduzierter Kühlbedarf 

● Erhöhte Leistungsdichte 

● Erhöhte Systemschalthäufigkeit


3 Anwendungen 

● Laden von Elektrofahrzeugen 

● Server-Netzteile 

● Solar-PV-Wechselrichter 

● USV 

● DC/DC-Wandler


VDSS  RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
650V 40mΩ 52A


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SiC-Leistungs-MOSFET
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