未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » IGBT MODUL » PIM » 150A 1200V Polomůstkový modul DGB150H120L2T 62mm

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

150A 1200V Modul polovičního můstku DGB150H120L2T 62mm

Tyto bipolární tranzistory s izolovanou bránou využívaly pokročilý design technologie výkopu a Fieldstop, poskytovaly vynikající rychlost VCEsat a spínání, nízké nabíjení brány. Což odpovídá standardu RoHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidat do košíku

  • DGB150H120L2T

  • WXDH

  • 62 mm

  • DGB150H120L2T(1).pdf

  • 1200V

  • 150A

150A 1200V Modul polovičního můstku


1 Popis 

Tyto bipolární tranzistory s izolovanou bránou využívaly pokročilý design technologie výkopu a Fieldstop, poskytovaly vynikající rychlost VCEsat a spínání, nízké nabíjení brány. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

  ● Technologie FS Trench, kladný teplotní koeficient 

  ● Nízké saturační napětí: VCE(sat), typ = 1,7V @ IC =600A a Tj = 25°C 

  ● Extrémně zvýšená lavinová schopnost 


3 Aplikace 

  • Svařování 

  • UPS 

  • Třípatrový střídač 

  • AC a DC servozesilovač


    Typ VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Balík
    DGB150H120L2T 1200V 150A (Tj=100℃) 2,55 V (typ) 150 ℃ 62MM
Předchozí: 
Další: 
IGBT modul
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com