150A 1200V Modul separuh jambatan DGB150H120L2T 62mm

150A 1200V Modul separuh jambatan

1 Penerangan 

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan VCEsat dan kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu yang rendah. Yang sesuai dengan piawaian RoHS. 

2 Ciri 

  ● Teknologi Parit FS, Pekali suhu positif 

  ● Voltan tepu rendah: VCE(sat), typ = 1.7V @ IC =600A dan Tj = 25°C 

  ● Keupayaan runtuhan salji yang sangat dipertingkatkan 

3 Aplikasi 

• Kimpalan 

• UPS 

• Penyongsang tiga tingkat 

• Penguat pemacu servo AC dan DC

  
  

  taip	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pakej
  DGB150H120L2T	1200V	150A (Tj=100℃)	2.55V (Jenis)	150 ℃	62MM