150A 1200V တစ်ဝက်တံတား module DGB150H120L2T 62mm

150A 1200V တစ်ဝက်တံတား module

1 ဖော်ပြချက် 

ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော VCEsat နှင့် switching speed ၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

  ● FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း 

  ● ပြည့်ဝသောဗို့အား- VCE(sat), typ = 1.7V @ IC = 600A နှင့် Tj = 25°C 

  ● နှင်းပြိုကျမှုစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။ 

3 လျှောက်လွှာများ 

• ဂဟေဆော်ခြင်း။ 

• ယူပီအက်စ် 

• သုံးအဆင့် Inverter 

• AC နှင့် DC servo drive အသံချဲ့စက်

  
  

  ရိုက်ပါ။	VCE	အိုင်စီ	VCEsat၊Tj=25 ℃	Tjop	အထုပ်
  DGB150H120L2T	1200V	150A (Tj=100 ℃)	2.55V (အမျိုးအစား)	150 ℃	62MM