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90A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH045N04D TO-252B

Diese N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Sgt-Graben-Technologiedesign und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Die mit der ROHS -Standardverfügbarkeit übereinstimmen
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90A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrische Werkzeuge 

● Automobilelektronik

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 5,5 mΩ 90a


herunterladen Gerät DHS180N10L Spezifikation.pdf

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