MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04D TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 90 A y 40 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	5,5 mΩ	90A