N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 145 A 60 V DH045N06D TO-252B

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 145 A 60 V

1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● Wechselrichter-Managementsystem

● Elektrowerkzeuge

● Automobilelektronik

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
60V	4,5 mΩ	145A