โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel กระแสไฟ MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel เพาเวอร์ MOSFET 145A 60V

1 คำอธิบาย

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ

● ความต้านทานต่ำ

● ค่าเกตต่ำ

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน

● ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์

● เครื่องมือไฟฟ้า

● อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับยานยนต์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
60V	4.5mΩ	145เอ