brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MODUŁ IGBT » PIM » Moduł półmostkowy 50A 650V Moduł IGBT DGA50H65M2T 34mm

załadunek

Udostępnij:
przycisk udostępniania na Facebooku
przycisk udostępniania na Twitterze
przycisk udostępniania linii
przycisk udostępniania wechata
przycisk udostępniania na LinkedIn
przycisk udostępniania na Pintereście
przycisk udostępniania WhatsApp
udostępnij ten przycisk udostępniania

50A 650V Moduł półmostkowy

W tych tranzystorach bipolarnych z izolowaną bramką zastosowano zaawansowaną technologię wykopów i technologię Fieldstop, zapewniając doskonałą prędkość VCEsat i przełączania oraz niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem RoHS.
 
Dostępność:
Ilość:
  • DGA50H65M2T

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA50H65M2T.pdf

  • 650 V

  • 50A

Moduł półmostkowy 50A 650V


1 Opis 

W tych tranzystorach bipolarnych z izolowaną bramką zastosowano zaawansowaną technologię wykopów i technologię Fieldstop, zapewniając doskonałą prędkość VCEsat i przełączania oraz niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem RoHS. 


2 funkcje 

  ● Technologia wykopów FS, dodatni współczynnik temperaturowy 

  ● Niskie napięcie nasycenia: VCE(sat), typ = 1,9 V @ IC = 100 A i Tj = 25°C 

  ● Niezwykle zwiększone możliwości lawinowe 


3 aplikacje 

  • Spawalniczy 

  • UPS-em 

  • Falownik trójpoziomowy 

  • Wzmacniacz serwonapędu AC i DC




    Typ VCE Ic VCEsat, Tj=25℃ Tjop Pakiet
    DGA50H65M2T 650 V 50A (Tj=100℃) 1,8 V (typ) 175 ℃ 34 MM
Poprzedni: 
Następny: 
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą