50A 650V Dimidium pontis moduli IGBT moduli moduli DGA50H65M2T 34mm

50A 650V Medium pontis moduli

1 Description 

Hae Portae Bipolar Transistor Insulae usi progressu fossae et consilio technologiae Fieldstop, praeclarum VCEsat et celeritate mutandi, portae humilitatis praefectum adhibebant. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features 

  FS Trench Technology, caliditas positiva coefficientis 

  Saturatio humilis intentione: VCE(sat), typ = 1.9V @ IC = 100A et Tj = 25°C 

  valde auctus facultatem NIVIS CASUS 

III Applications 

• Welding 

• UPS 

• Tres gradu Inverter 

• AC et DC servo amplio coegi

  
  

  
  

  
  

  Type	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	sarcina
  DGA50H65M2T	650V	50A (Tj=100℃)	1.8V (Type)	175	34MM