Módulo de medio puente 50A 650V módulo IGBT DGA50H65M2T 34mm

Módulo de medio puente 50A 650V

1 Descripción 

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

  ● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

  ● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ = 1,9 V @ IC = 100 A y Tj = 25 °C 

  ● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 aplicaciones 

• Soldadura 

• Unión Postal Universal 

• Inversor de tres niveles 

• Amplificador servoaccionador de CA y CC

  
  

  
  

  
  

  Tipo	VCE	ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paquete
  DGA50H65M2T	650V	50A (Tj=100℃)	1,8 V (típico)	175℃	34MM