15A 650V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 15N65 TO-220C

7A 650 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus 

Nämä N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentäsuorituskykyä ja lisää lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen.

2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Pieni resistanssi (Rdson≤0,6Ω) 

● Matala portin lataus (Tyyppi: 47nC) 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit (Tyyppi: 33pF) 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS -testi

3 Sovellukset 

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi. 

● Elektronisen liitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkinpiiri. 

● Elektroninen muuntaja

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
650V	0,5Ω	15A