7A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Düşük direnç (Rdson≤0,6Ω)
● Düşük geçit şarjı (Tip: 47nC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 33pF)
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.
● Elektronik balastın ve adaptörün güç anahtarı devresi.
● Elektronik transformatör
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| 650V |
0,5Ω |
15A |