Disponibilité: | |
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Quantité: | |
15N65
Wxdh
À 220c
650V
15A
Mode d'amélioration du canal N 7A 650V MOSFET
1 Description
Ces VDMOSFET améliorés en n canal N sont obtenus par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliorent les performances de commutation et améliorent l'énergie de l'avalanche. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible en résistance (RDSON≤0,6Ω)
● Charge de porte basse (Typ: 47NC)
● Capacités de transfert inverse faibles (TYP: 33pf)
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée.
● Circuit d'interrupteur d'alimentation du ballast et de l'adaptateur électroniques.
● Transformateur électronique
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
650V | 0,5Ω | 15A |
Mode d'amélioration du canal N 7A 650V MOSFET
1 Description
Ces VDMOSFET améliorés en n canal N sont obtenus par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliorent les performances de commutation et améliorent l'énergie de l'avalanche. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible en résistance (RDSON≤0,6Ω)
● Charge de porte basse (Typ: 47NC)
● Capacités de transfert inverse faibles (TYP: 33pf)
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée.
● Circuit d'interrupteur d'alimentation du ballast et de l'adaptateur électroniques.
● Transformateur électronique
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
650V | 0,5Ω | 15A |