کی دستیابی: | |
---|---|
مقدار: | |
15n65
WXDH
to-220c
650V
15a
7A 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
1 تفصیل
یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS معیار کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے۔
2 خصوصیات
● تیز سوئچنگ
resistance کم مزاحمت (rdson≤0.6Ω)
● کم گیٹ چارج (ٹائپ: 47 این سی)
relu کم ریورس ٹرانسفر کیپسیٹینسیس (ٹائپ: 33pf)
● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ
● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ
3 درخواستیں
system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔
● الیکٹرانک گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔
● الیکٹرانک ٹرانسفارمر
وی ڈی ایس ایس | rds (on) (TYP) | ID |
650V | 0.5Ω | 15a |
7A 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
1 تفصیل
یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS معیار کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے۔
2 خصوصیات
● تیز سوئچنگ
resistance کم مزاحمت (rdson≤0.6Ω)
● کم گیٹ چارج (ٹائپ: 47 این سی)
relu کم ریورس ٹرانسفر کیپسیٹینسیس (ٹائپ: 33pf)
● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ
● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ
3 درخواستیں
system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔
● الیکٹرانک گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔
● الیکٹرانک ٹرانسفارمر
وی ڈی ایس ایس | rds (on) (TYP) | ID |
650V | 0.5Ω | 15a |