7A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanals forbedrede vdmosfets er opnået af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer koblingsydelsen og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Hurtigt skift
● Lav modstand (Rdson≤0,6Ω)
● Lav portladning (Type: 47nC)
● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 33pF)
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.
● Strømafbryderkredsløb af elektronisk ballast og adapter.
● Elektronisk transformer
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 650V |
0,5Ω |
15A |