15A 650V N-ալիքի բարելավման ռեժիմ Power Mosfet 15N65- 220C

7A 650V N-ալիքի ուժեղացման ռեժիմ Power Mosfet

1 Նկարագրություն 

Այս N- հեռուստաընկերությունը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցած պլանի տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է անցկացման կորուստը, բարելավում է փոխարկումը կատարումը եւ բարձրացնում է ավալանշի էներգիան: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին:

2 առանձնահատկություններ 

● արագ անցում 

● Low ածր դիմադրություն (RDSON≤0.6ω) 

● ցածր դարպասի լիցքավորում (մուտք: 47NC) 

● Հակադարձ փոխանցման հզորացում (տպագիր, 33pf) 

● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ 

● 100% δvds թեստ

3 դիմում 

● Օգտագործվում է տարբեր էլեկտրական անջատման միացում համակարգի մանրանկարչության եւ ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Էլեկտրոնային բալաստի եւ ադապտերի էլեկտրական անջատիչ միացում: 

● Էլեկտրոնային տրանսֆորմատոր