15A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 15N65 TO-220C

7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն 

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և մեծացնում ավալանշի էներգիան: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:

2 Հատկանիշներ 

● Արագ միացում 

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤0,6Ω) 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 47nC) 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 33pF) 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ

3 Դիմումներ 

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում: 

● Էլեկտրոնային տրանսֆորմատոր

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
650 Վ	0.5Ω	15Ա