ရရှိမှု - | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
15n65
wxdh
to-220c
650Vvv
15a
7a 650V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Proper Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤0.6ω)
●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (Typ: 47nc)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 33pf)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။
●အီလက်ထရောနစ်လှေများနှင့် adapter ၏ power switch circuit ။
●အီလက်ထရောနစ်ထရန်စဖော်မာ
VDSs | RDS (အပေါ်) | သတ် |
650Vvv | 0.5ω | 15a |
7a 650V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Proper Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤0.6ω)
●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (Typ: 47nc)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 33pf)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။
●အီလက်ထရောနစ်လှေများနှင့် adapter ၏ power switch circuit ။
●အီလက်ထရောနစ်ထရန်စဖော်မာ
VDSs | RDS (အပေါ်) | သတ် |
650Vvv | 0.5ω | 15a |