Disponibilidad: | |
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MUR80G30NCT
Wxdh
A 3pn
300V
80A
Diodo de recuperación rápida 80a 300V
1 descripción
800A, 300 V Diodos ultrarrápidos Los productos se realizan mediante el proceso GPP, tienen un avance bajo. Estos dispositivos están destinados a su uso como diodos de dirección/sujeción de energía y rectiadores en una variedad de alimentos de conmutación y otras aplicaciones de conmutación de alimentación.
2 características
Caída de voltaje hacia adelante baja
Construcción de troqueles pasivados de vidrio
Baja corriente de fuga
Alta fiabilidad
Capacidad de corriente de sobretensión alta hacia adelante
3 aplicaciones
Fuente de alimentación de conmutación
Circuitos de conmutación de encendido
Fuente de alimentación del inversor
4 Instalar
Valor recomendado de Torque (TO-247): 0.8 nm
Valor recomendado de Torque (a 3pn/3p): 0.8 nm
Valor de par máximo (TO-247): 1.2 nm
Valor de torque máximo (a 3pn/3p): 1.1 nm
VBR | VF (single) (Max) | If (av) (single) |
300V | 1.25V | 40A |
Diodo de recuperación rápida 80a 300V
1 descripción
800A, 300 V Diodos ultrarrápidos Los productos se realizan mediante el proceso GPP, tienen un avance bajo. Estos dispositivos están destinados a su uso como diodos de dirección/sujeción de energía y rectiadores en una variedad de alimentos de conmutación y otras aplicaciones de conmutación de alimentación.
2 características
Caída de voltaje hacia adelante baja
Construcción de troqueles pasivados de vidrio
Baja corriente de fuga
Alta fiabilidad
Capacidad de corriente de sobretensión alta hacia adelante
3 aplicaciones
Fuente de alimentación de conmutación
Circuitos de conmutación de encendido
Fuente de alimentación del inversor
4 Instalar
Valor recomendado de Torque (TO-247): 0.8 nm
Valor recomendado de Torque (a 3pn/3p): 0.8 nm
Valor de par máximo (TO-247): 1.2 nm
Valor de torque máximo (a 3pn/3p): 1.1 nm
VBR | VF (single) (Max) | If (av) (single) |
300V | 1.25V | 40A |