Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
Mur80g30nct
WXDH
To-3pn
300V
80α
80Α 300V γρήγορη δίοδο ανάκτησης
1 περιγραφή
80Α, 300V Ultrafast Διόδες Τα προϊόντα κατασκευάζονται από τη διαδικασία GPP έχουν χαμηλή προς τα εμπρός. Αυτές οι συσκευές προορίζονται για χρήση ως ενεργειακές διόδους διεύθυνσης/σύσφιξης και recti fi ers σε μια ποικιλία τροφοδοτικών μεταγωγής και άλλων εφαρμογών μεταγωγής ενέργειας.
2 χαρακτηριστικά
Χαμηλή πτώση τάσης προς τα εμπρός
Γυαλί παθητικοποιημένη κατασκευή
Ρεύμα χαμηλής διαρροής
Υψηλή αξιοπιστία
Υψηλή δυνατότητα ρεύματος υπερχείλισης
3 αιτήσεις
Τροφοδοσία μεταγωγής
Κυκλώματα μεταγωγής τροφοδοσίας
Τροφοδοσία μετατροπέα
4 εγκαταστήστε
Προτεινόμενη τιμή (TO-247): 0,8 nm
Προτεινόμενη τιμή (to-3pn/3p): 0,8 nm
Μέγιστη τιμή ροπής (έως 247): 1,2 nm
Μέγιστη τιμή ροπής (to-3pn/3p): 1,1 nm
Ατέλειο | VF (single) (max) | Αν (av) (single) |
300V | 1.25V | 40α |
80Α 300V γρήγορη δίοδο ανάκτησης
1 περιγραφή
80Α, 300V Ultrafast Διόδες Τα προϊόντα κατασκευάζονται από τη διαδικασία GPP έχουν χαμηλή προς τα εμπρός. Αυτές οι συσκευές προορίζονται για χρήση ως ενεργειακές διόδους διεύθυνσης/σύσφιξης και recti fi ers σε μια ποικιλία τροφοδοτικών μεταγωγής και άλλων εφαρμογών μεταγωγής ενέργειας.
2 χαρακτηριστικά
Χαμηλή πτώση τάσης προς τα εμπρός
Γυαλί παθητικοποιημένη κατασκευή
Ρεύμα χαμηλής διαρροής
Υψηλή αξιοπιστία
Υψηλή δυνατότητα ρεύματος υπερχείλισης
3 αιτήσεις
Τροφοδοσία μεταγωγής
Κυκλώματα μεταγωγής τροφοδοσίας
Τροφοδοσία μετατροπέα
4 εγκαταστήστε
Προτεινόμενη τιμή (TO-247): 0,8 nm
Προτεινόμενη τιμή (to-3pn/3p): 0,8 nm
Μέγιστη τιμή ροπής (έως 247): 1,2 nm
Μέγιστη τιμή ροπής (to-3pn/3p): 1,1 nm
Ατέλειο | VF (single) (max) | Αν (av) (single) |
300V | 1.25V | 40α |