Disponibilitate: | |
---|---|
cantitate: | |
MUR80G30NCT
Wxdh
La-3pn
300V
80A
80A 300V Diodă de recuperare rapidă
1 Descriere
80A, 300V Diode ultrarapast Produsele sunt realizate prin procesul GPP, au un avans scăzut. Aceste dispozitive sunt destinate utilizării ca diode de direcție/prindere a energiei și rectiții într -o varietate de surse de alimentare de comutare și alte aplicații de comutare a puterii.
2 caracteristici
Cădere de tensiune redusă înainte
Construcție de matriță pasivată din sticlă
Curent de scurgere scăzut
Fiabilitate ridicată
Capacitate de curent ridicat de forță înainte
3 aplicații
Comutarea sursei de alimentare
Circuite de comutare a puterii
Sursa de alimentare a invertorului
4 Instalați
Valoare recomandată (To-247): 0,8 nm
Valoare recomandată (până la-3pn/3p): 0,8 nm
Valoarea maximă a cuplului (To-247): 1,2 nm
Valoarea maximă a cuplului (to-3pn/3p): 1,1 nm
Vbr | Vf (single) (max) | If (av) (single) |
300V | 1.25V | 40a |
80A 300V Diodă de recuperare rapidă
1 Descriere
80A, 300V Diode ultrarapast Produsele sunt realizate prin procesul GPP, au un avans scăzut. Aceste dispozitive sunt destinate utilizării ca diode de direcție/prindere a energiei și rectiții într -o varietate de surse de alimentare de comutare și alte aplicații de comutare a puterii.
2 caracteristici
Cădere de tensiune redusă înainte
Construcție de matriță pasivată din sticlă
Curent de scurgere scăzut
Fiabilitate ridicată
Capacitate de curent ridicat de forță înainte
3 aplicații
Comutarea sursei de alimentare
Circuite de comutare a puterii
Sursa de alimentare a invertorului
4 Instalați
Valoare recomandată (To-247): 0,8 nm
Valoare recomandată (până la-3pn/3p): 0,8 nm
Valoarea maximă a cuplului (To-247): 1,2 nm
Valoarea maximă a cuplului (to-3pn/3p): 1,1 nm
Vbr | Vf (single) (max) | If (av) (single) |
300V | 1.25V | 40a |