Dostępność: | |
---|---|
Ilość: | |
Mur80G30NCT
Wxdh
TO-3PN
300 V.
80a
80A 300V Dioda szybkiego odzyskiwania
1 Opis
80A, 300 V ultraszybkie diody Produkty są wytwarzane przez proces GPP. Mają niski naprzód. Urządzenia te są przeznaczone do wykorzystania jako diody sterujące/zaciskami energetycznymi i prostowiskami w różnych zasilaczach przełączających i innych aplikacjach przełączania zasilania.
2 funkcje
Niski spadek napięcia do przodu
Szklana konstrukcja pasywnej matrycy
Niski prąd wycieku
Wysoka niezawodność
Wysoka zdolność prądu do przodu
3 aplikacje
Przełączanie zasilania
Obwody przełączania zasilania
Zasilacz falownika
4 Instaluj
Zalecana wartość -orque (do 247): 0,8 nm
Wartość zalecana (do 3pn/3p): 0,8 nm
Maksymalna wartość momentu obrotowego (do 247): 1,2 nm
Maksymalna wartość momentu obrotowego (do 3pn/3p): 1,1 nm
VBR | VF (singiel) (maks.) | If (av) (singiel) |
300 V. | 1,25 V. | 40a |
80A 300V Dioda szybkiego odzyskiwania
1 Opis
80A, 300 V ultraszybkie diody Produkty są wytwarzane przez proces GPP. Mają niski naprzód. Urządzenia te są przeznaczone do wykorzystania jako diody sterujące/zaciskami energetycznymi i prostowiskami w różnych zasilaczach przełączających i innych aplikacjach przełączania zasilania.
2 funkcje
Niski spadek napięcia do przodu
Szklana konstrukcja pasywnej matrycy
Niski prąd wycieku
Wysoka niezawodność
Wysoka zdolność prądu do przodu
3 aplikacje
Przełączanie zasilania
Obwody przełączania zasilania
Zasilacz falownika
4 Instaluj
Zalecana wartość -orque (do 247): 0,8 nm
Wartość zalecana (do 3pn/3p): 0,8 nm
Maksymalna wartość momentu obrotowego (do 247): 1,2 nm
Maksymalna wartość momentu obrotowego (do 3pn/3p): 1,1 nm
VBR | VF (singiel) (maks.) | If (av) (singiel) |
300 V. | 1,25 V. | 40a |