dostupnost | |
---|---|
Množství: | |
Mur80G30NCT
Wxdh
To-3pn
300V
80a
80A 300V Rychlá obnova diody
1 Popis
80a, 300 V Ultrarychlé diody Produkty jsou vyráběny procesem GPP, které mají nízký vpřed. Tato zařízení jsou určena pro použití jako energetické řízení/upínací diody a rektiky v různých přepínacích napájecích zdrojích a dalších aplikacích pro přepínání energie.
2 funkce
Nízký pokles napětí vpřed
Konstrukce passivované skleněné passimivové
Nízký únik proudu
Vysoká spolehlivost
Schopnost proudu s vysokým přepětí vpřed
3 aplikace
Přepínání napájení
Obvody přepínání napájení
Napájecí zdroj střídače
4 Instalace
Hodnota Doporučené výskyt (do 247): 0,8 nm
Hodnota Doporučené výskytu (to-3pn/3p): 0,8 nm
Maximální hodnota točivého momentu (do 247): 1,2 nm
Maximální hodnota točivého momentu (to-3pn/3p): 1,1 nm
Vbr | VF (singl) (max) | If (av) (singl) |
300V | 1,25V | 40a |
80A 300V Rychlá obnova diody
1 Popis
80a, 300 V Ultrarychlé diody Produkty jsou vyráběny procesem GPP, které mají nízký vpřed. Tato zařízení jsou určena pro použití jako energetické řízení/upínací diody a rektiky v různých přepínacích napájecích zdrojích a dalších aplikacích pro přepínání energie.
2 funkce
Nízký pokles napětí vpřed
Konstrukce passivované skleněné passimivové
Nízký únik proudu
Vysoká spolehlivost
Schopnost proudu s vysokým přepětí vpřed
3 aplikace
Přepínání napájení
Obvody přepínání napájení
Napájecí zdroj střídače
4 Instalace
Hodnota Doporučené výskyt (do 247): 0,8 nm
Hodnota Doporučené výskytu (to-3pn/3p): 0,8 nm
Maximální hodnota točivého momentu (do 247): 1,2 nm
Maximální hodnota točivého momentu (to-3pn/3p): 1,1 nm
Vbr | VF (singl) (max) | If (av) (singl) |
300V | 1,25V | 40a |