: | |
---|---|
Кількість: | |
Mur80g30nct
WXDH
До 3pn
300 В
80а
80A 300 В швидке відновлення діод
1 опис
80A, 300 В Ультрашвидкі діоди Продукти виготовляються за допомогою процесу GPP, вони мають низький вперед. Ці пристрої призначені для використання в якості діодів/стиснення енергетичного керма/затискання та прямої форми в різних джерелах джерел живлення та інших додатків для перемикання живлення.
2 особливості
Низьке падіння напруги вперед
Скляна пасивна конструкція штампу
Низький струм витоку
Висока надійність
Висока здатність струму вперед
3 програми
Перемикання живлення
Схеми перемикання живлення
Інверторний джерело живлення
4 Установка
Рекомендоване значення (до-247): 0,8 нм
Рекомендоване значення (до-3pn/3p): 0,8 нм
Максимальне значення крутного моменту (до-247): 1,2 нм
Максимальне значення крутного моменту (до 3pn/3p): 1,1 нм
VBR | Vf (одиночний) (макс) | Якщо (av) (одиночний) |
300 В | 1,25 В | 40А |
80A 300 В швидке відновлення діод
1 опис
80A, 300 В Ультрашвидкі діоди Продукти виготовляються за допомогою процесу GPP, вони мають низький вперед. Ці пристрої призначені для використання в якості діодів/стиснення енергетичного керма/затискання та прямої форми в різних джерелах джерел живлення та інших додатків для перемикання живлення.
2 особливості
Низьке падіння напруги вперед
Скляна пасивна конструкція штампу
Низький струм витоку
Висока надійність
Висока здатність струму вперед
3 програми
Перемикання живлення
Схеми перемикання живлення
Інверторний джерело живлення
4 Установка
Рекомендоване значення (до-247): 0,8 нм
Рекомендоване значення (до-3pn/3p): 0,8 нм
Максимальне значення крутного моменту (до-247): 1,2 нм
Максимальне значення крутного моменту (до 3pn/3p): 1,1 нм
VBR | Vf (одиночний) (макс) | Якщо (av) (одиночний) |
300 В | 1,25 В | 40А |