MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 155A 40V DH035N04 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 155 A y 40 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Cambio rápido 

● Alta corriente de avalancha 

● Baja resistencia (Rdson≤3.5mΩ) 

● Carga de puerta baja (tipo: 121 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 640 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Convertidores CC-CC 

● Fuente de alimentación

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	2,3 mΩ	155A