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155A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH035N04 TO-220C

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendeten fortschrittliches Gräbertechnologie-Design und boten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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155A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung


Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendeten fortschrittliches Gräbertechnologie-Design und boten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 3,5 mΩ) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 121NC) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 640PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● DC-DC-Konverter 

● Stromversorgung


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 2,3 mΩ 155a


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