MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B

MOSFET de potencia de súper unión de canal N 7A 650V

1 Descripción

Descripción Estos VDMOSFET mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño de superunión avanzados para proporcionar un Rdson excelente con carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Corrección del factor de potencia (PFC). 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). 

● Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS).

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	0,56Ω	7A