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60A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar DGC60F65M TO-247

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60A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar DGC60F65M TO-247

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, alta resistencia de avalancha de avalancha fácil de operación paralela

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Modelo:
DGC60F65M
Marca:
Wxdh
Paquete:
To-247
Ficha de datos:
Dgc60f65m__dataSheet-12.26.pdf
V:
650V
A:
60A

Descripción del Producto

60A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar

1 características

Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance de Donghai, el 650V FS IGBT ofrece actuaciones superiores y de conmutación, ruggedness de alta avalancha operación paralela fácil

2 características

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva

● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.9V @ IC = 60A y TJ = 25 ° C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones

● Soldadura

● UPS

● Inverter de tres niveles

Vces	Paquete	IC (TJ = 100 ℃)
650V	To-247	60A

IGBT

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