kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » IGBT » 600V-650V » 60a 650 V árokhely szigetelt kapu bipoláris tranzisztor DGC60F65M TO-247

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

60a 650 V árokhely szigetelt kapu bipoláris tranzisztor DGC60F65M TO-247

A Donghai szabadalmaztatott árok kialakítását és az FS -technológiát az FS technológiájának felhasználásával a 650 V FS IGBT kiváló és váltási teljesítményt kínál, a magas lavinát ruggedness könnyű párhuzamos művelet
rendelkezésre állása:
mennyiség:

60a 650 V árok szigetelt kapu bipoláris tranzisztor


1 Jellemzők 

A Donghai szabadalmaztatott árok kialakítását és az FS -technológiát az FS technológiát használva a 650 V -os FS IGBT kiváló és váltási előadásokat kínál, a magas lavinát robogus, könnyű párhuzamos működést kínál 


2 Jellemzők

● FS árok technológiája, pozitív hőmérsékleti együttható 

● Alacsony telítettségi feszültség: VCE (SAT), TYP = 1,9 V @ IC = 60A és TJ = 25 ° C 

● Rendkívül továbbfejlesztett lavina képesség 


3 alkalmazás

● Hegesztés 

● UPS 

● Három szintű frekvenciaváltó

VECS Csomag IC (TJ = 100 ℃)
650 V -os TO-247 60A 


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába